注入剂量和低温退火对硅离子注入热氧化硅层发光特性的影响
赵勇; 侯硕; 俞进; 方利广; 郑军; 盛广沪
南昌大学理学院；
ZHAO Yong,HOU Shuo,YU Jin,FANG Li-guang,ZHENG Jun,SHENG Guan-ghu(College of Science,Nanchang University,Nanchang 330031,China)
摘要 采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源制得了SiO2:Si辐照层。样品的室温可见PL谱峰位集中在560～700nm的4个谱带;Raman谱表明样品中没有纳米硅晶形成,XPS谱检测到富氧和缺氧两种价键结构。560nm发光中心起源于氧化硅层中的富氧结构缺陷SPR,620～700nm的谱峰均源自非桥氧空穴中心NBO
关键词 ：
离子注入 ,
氧化硅 ,
缺陷发光 ,
辐照损伤；
Abstract ：Si doped silicon oxide films were prepared using MEVVA ion source implanter.Si ion beams with constant energy and various doses were implanted into SiO2 films thermally grown by dry oxidation method.Photoluminescence(PL) spectrum observed in the samples w
出版日期: 2011-12-28
引用本文:
赵勇; 侯硕; 俞进; 方利广; 郑军; 盛广沪. 注入剂量和低温退火对硅离子注入热氧化硅层发光特性的影响[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2011, 35(06): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/Y2011/V35/I06/1
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