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硅内表面氧扩散分布的测量 |
曾庆城; 钟仕科 |
江西大学物理系; 江西大学物理系; |
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摘要 利用二次离子质谱分析,对氧化硅内表面进行了氧含量的深度分析,结果表明:硅内表面层确实存在着氧扩散层,对于不同的氧化方式制备的样品,氧扩散层厚度不一,氧的纵向浓度分布规律也不同,然而,当扩散层厚度大于峰值位置以后,它们的分布规律变得大致相同。
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关键词 :
氧化硅,
二次离子质谱分析,
表面层,
扩散层厚度,
杂质,
分布规律,
深度分析,
表面氧,
扩散分布,
氧扩散
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出版日期: 1982-03-28
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