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离子注入基区微波晶体管f_T的估算 |
叶安祚; 王兼善 |
江西大学物理系; 江西大学物理系; |
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摘要 本文对[1]所设计的CG38型微波晶体管的f_T值进行了估算,计算结果与测量值相符,从而解决了[1]中f_T设计值与测量值不符的矛盾。本文还对管子的设计和制作提出了改进意见,以使f_T达原设计指标。
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关键词 :
微波晶体管,
离子注入,
杂质含量,
杂质分布,
基区,
空穴,
计算结果,
高斯分布,
时间常数,
测量值
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出版日期: 1979-06-28
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[1] |
涂盛辉; 骆中璨; 林立; 刘婷; 王犇; 杜军; 邱俊明. CuO-CeO2/ZSM-5催化剂的制备及其降解酸性大红GR的研究[J]. 南昌大学学报(工科版), 2016, 38(03): 205-. |
[2] |
赵勇; 侯硕; 俞进; 方利广; 郑军; 盛广沪. 注入剂量和低温退火对硅离子注入热氧化硅层发光特性的影响[J]. 南昌大学学报(理科版), 2011, 35(06): 1-. |
[3] |
邓琦岚; 余腊妹; 朱咏梅; 欧阳萌; 陈义旺. 基于聚硅氧烷双功能低玻璃化温度聚合物的合成与表征[J]. 南昌大学学报(理科版), 2008, 32(02): 1-. |
[4] |
徐鹏; 王应民; 徐飞; 张萌. 高浓度掺铒硅的结构分析[J]. 南昌大学学报(理科版), 2007, 31(06): 1-. |
[5] |
周素云; 刘三秋; 廖妍俐. 激光等离子体中横场坍塌形成的密度空穴[J]. 南昌大学学报(理科版), 2007, 31(01): 1-. |
[6] |
王水凤; 曾宇昕; 程国安; 徐飞. MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究[J]. 南昌大学学报(理科版), 2002, 26(03): 1-. |
[7] |
王水凤; 王平; 曾宇昕; 徐飞. 掺杂硅基氧化薄膜光致发光特性研究[J]. 南昌大学学报(理科版), 1999, 23(04): 1-. |
[8] |
李纪连; 李新勇; 李文钊. 铁酸锌纳米半导体电极制备及其光电化学性质研究[J]. 南昌大学学报(理科版), 1997, 21(01): 1-. |
[9] |
汪向明; 曹焱生. 大时间常数开关电容积分器的实现与推广[J]. 南昌大学学报(工科版), 1992, 14(01): 1-. |
[10] |
倪永年. 化学分析测试中的加权线性回归[J]. 南昌大学学报(理科版), 1987, 11(04): 1-. |
[11] |
王琪云. 一类非谐振子的能量期待值的非微扰计算法[J]. 南昌大学学报(理科版), 1986, 10(03): 1-. |
[12] |
卢维奇; 吴学文; 伍宏青. 含硅大孔γ—Al_2O_3制备条件的考察[J]. 南昌大学学报(理科版), 1986, 10(03): 1-. |
[13] |
林治平. 塑性成形初等解法的比较[J]. 南昌大学学报(工科版), 1985, 7(03): 1-. |
[14] |
宋震平. 电子计算机在圆度误差的评定及其数据处理中的应用[J]. 南昌大学学报(工科版), 1985, 7(03): 1-. |
[15] |
曾庆城; 罗庆芳. 热氧化硅内表面的结构与特性[J]. 南昌大学学报(理科版), 1985, 9(02): 1-. |
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