高浓度掺铒硅的结构分析
徐鹏; 王应民; 徐飞; 张萌
南昌大学材料科学与工程学院； 南昌大学材料科学与工程学院 江西南昌330031分析测试中心； 江西南昌330047； 江西南昌330031；
XU Penga,b,WANG Ying-mina,XU Feia,ZHANG Menga(a.College of Materials Science and Engineering,Nanchang University,Nanchang 330031,China;b.Center of Analysis and Testing,Nanchang University,Nanchang 330047,China)
摘要 采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子注入机,合成获得高浓度掺铒硅发光薄膜,并对其进行成分和结构分析。在小束流2.5μA.cm-2、小注量5×1016cm-2的注入条件下,Er注入单晶硅,随着退火温度升高,存在Er析出,且析出量增多。相同束流条件下,增大Er的注量也会导致Er析出,甚至出现ErS i2相
关键词 ：
离子注入 ,
MEVVA ,
掺铒硅 ,
XRD
Abstract ：Er-doped Si thin films performed on metal vapor vacuum arc ion source implanter have been investigated by Rutherford backscattering and X-ray diffract meter.The solubility,segregation and precipitation behavior of Er in Er-doped Si thin films was studied
Key words ：
erbium doped silicon
ion implantation
XRD；
MEVVA
出版日期: 2007-12-28
引用本文:
徐鹏; 王应民; 徐飞; 张萌. 高浓度掺铒硅的结构分析[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2007, 31(06): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/Y2007/V31/I06/1
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