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| 硅——二氧化硅界面电气特性及其对器件性能的影响 |
| 钟仕科 |
| 江西大学物理系； |
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摘要 在硅——二氧化硅之间有个过渡层,过渡层中存在着界面态和固定电荷,它们能影响晶体管和集成电路的性能。本文简单介绍了界面态和固定电荷的特性,以及它们如何影响器件性能的。同时也介绍了控制界面态密度和固定电荷密度的一些方法。这些方法能有效地提高半导体器件的性能。
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| 关键词 ：
过渡层,
器件性能,
热处理,
界面态密度,
晶面取向,
半导体器件,
氧化温度,
电气特性,
固定电荷密度,
二氧化硅界面
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出版日期: 1979-06-28
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1979, Vol. 3 