热氧化硅内表面的结构与特性
曾庆城; 罗庆芳
江西大学物理系； 江西大学物理系；
Zeng Qingcheng Luo Qingfang (Jiangxi University)
摘要 对氧离子注入硅与热氧化硅样品内表面的氧分布进行了剖面观测,两者经过磨角的光学界面类同。用二次离子质谱（SIMS）分析,发现热氧化硅内表面的氧含量高达1020/cm3数量级。经过热氧化的硅与氧注入硅的表面都清楚地显示出一种电化学染色效应。最后,讨论了氧施主界面态问题。
关键词 ：
氧离子注入 ,
内表面 ,
结构与特性 ,
高浓度 ,
二次离子质谱 ,
数量级 ,
热氧化 ,
氧化硅 ,
水氧化 ,
电解
Abstract ：In this paper, We report the observation of the oxygen profiles at the layer near interface on silicon side for samples oxidized thermally or oxygen—implanted. Their opticel interfaces angle—lapping are, similar. It is found by SIMS analysis that the co
出版日期: 1985-06-28
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1985, Vol. 9 