MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究
王水凤; 曾宇昕; 程国安; 徐飞
南昌大学物理学系； 南昌大学材料科学与工程系； 北京师范大学低能物理所教育部射线束材料工程开放实验室； 复旦大学应用物理表面国家重点实验室 江西南昌330047； 江西南昌330047； 北京100875； 上海200433；
WANG Shui feng 1,ZENG Yu xin 2,CHENG Guo an 3,XU Fei 4(1.Department of Physics, Nanchang University, Nanchang 330047,China; 2.Department of Materials Science and Engineering, Nanchang University, Nanchang 330047,China; 3.Institute of Low Energy Nuclear P
摘要 用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中 ,可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测 ,随着退火温度的升高 ,注入层的薄层方块电阻R□ 显著下降 ,注入层形成Nd5Si4 和NdSi两种硅化钕相 ,并逐渐向NdSi相转变。
关键词 ：
钕硅化物 ,
离子注入 ,
结构
Abstract ：Neodymium silicides with good properties were synthesized by means of rare-earth Nd ions implantation into silicon with MEVVA ions. The electro-microscope and x-ray diffraction analysis indicated that two kinds of Nd silicides Nd5Si4 and NdSi were formed
Key words ：
Nd Silicides
Morphology；
Ion Implantation
出版日期: 2002-09-28
引用本文:
王水凤; 曾宇昕; 程国安; 徐飞. MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2002, 26(03): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/Y2002/V26/I03/1
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2002, Vol. 26 