基底温度对磁控溅射制备氮化钛薄膜的影响
蒋雅雅; 赖珍荃; 王震东; 黄奇辉
南昌大学材料科学与工程学院； 南昌大学理学院； 南昌大学理学院 江西南昌330031； 江西南昌330031；
JIANG Ya-yaa,LAI Zheng-quanb,WANG Zheng-dongb,HUANG Qi-huib(a.College of Material Science and Engineering;b.College of Science,Nanchang University,Nanchang 330031,China)
摘要 在不同的基底温度下,采用直流磁控反应溅射法在硅基底上制备了氮化钛(TiNx)薄膜,研究了基底温度对薄膜结晶取向、表面形貌和导电性能的影响。实验结果表明:基底温度较低时,薄膜主要成分为四方相的Ti2N,具有(110)择优取向,当基底温度升高到360℃时薄膜中开始出现立方相的TiN。Ti
关键词 ：
基底温度 ,
磁控溅射 ,
TiN薄膜
Abstract ：Titanium nitride thin films were prepared on Si substrates by dc reactive magnetron sputtering.The influence of substrate temperature on the crystal orientation,the surface topography and conductivity of TiNx thin films were investigated.The experimental
Key words ：
substrate temperature；
titanium nitride thin films
magnetron sputtering
出版日期: 2007-12-28
引用本文:
蒋雅雅; 赖珍荃; 王震东; 黄奇辉. 基底温度对磁控溅射制备氮化钛薄膜的影响[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2007, 31(06): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/Y2007/V31/I06/1
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