氮气流量对反应磁控溅射制备TiN_x薄膜的影响
朱秀榕; 赖珍荃; 蒋雅雅; 范定寰
南昌大学物理学系； 南昌大学物理学系 江西南昌330031； 江西南昌330031；
ZHU Xiu-rong,LAI Zhen-quan,JIANG Ya-ya,FAN Ding-huan(Department of Physics,Nanchang University,Nanchang 330031,China)
摘要 采用直流磁控溅射法,在S i基底上制备TiNx薄膜。研究了溅射沉积过程中氮气流量对TiNx薄膜生长及性能的影响。研究发现:在其它工艺参数不变的情况下,改变N2流量,薄膜的主要成分是(110)择优取向的四方相Ti2N。随着N2流量的增加,薄膜的厚度逐渐增加,薄膜粗糙度、颗粒尺寸和电阻率
关键词 ：
氮气流量 ,
氮化钛薄膜 ,
磁控溅射
Abstract ：Titanium nitride(TiNx) thin films were prepared on Si substrates by DC reactive magnetron sputtering.The influence of N2 flow rate on the crystal orientation,the surface topography and conductivity of TiNx thin films were investigated.It is shown that the
Key words ：
nitrogen flow rate；
magnetron sputtering
TiNx thin films
出版日期: 2008-06-28
引用本文:
朱秀榕; 赖珍荃; 蒋雅雅; 范定寰. 氮气流量对反应磁控溅射制备TiN_x薄膜的影响[J]. 南昌大学学报（工科版）, 2008, 30(02): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xbgkb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xbgkb/CN/Y2008/V30/I02/1
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2008, Vol. 30 