β-FeSi_2薄膜的结构与光电特性
祝红芳; 沈鸿烈; 尹玉刚; 鲁林峰
江西工业职业技术学院； 南京航空航天大学材料科学与技术学院；
ZHU Hong-fanga,SHEN Hong-lieb,YIN Yu-gangb,LU Lin-fengb(a.Jiangxi Industry Polytechnic College,Nanchang 330039,China;b.College of Materials Science and Technology,Nanjing University of Aeronautics and Astronautics,Nanjing 210016,China)
摘要 用磁控溅射法沉积了Fe/Si多层膜和Fe单层膜,在真空和Ar气中热退火2 h后制备了β-FeSi2半导体光电薄膜。发现Fe/Si多层膜在880℃温度下热退火后,制备的β-FeSi2薄膜的XRD结果均呈现β(220)/(202)择优取向,而Fe单层膜制备的β-FeSi2样品则呈无规则取向。原子力显微镜分析表明,Ar
关键词 ：
光电导效应 ,
磁控溅射 ,
β-FeSi2薄膜 ,
择优取向
Abstract ：Fe/Si multilayer and Fe single layer were deposited by magnetron sputtering.Semiconducting β-FeSi2 films were fabricated after annealing at vacuum or Ar atmosphere for 2 hours.Highly(220)/(202) oriented β-FeSi2 films were obtained from the Fe/Si multila
Key words ：
β-FeSi2 films
photoconduction effect；
magnetron sputtering
oriented phase
出版日期: 2008-06-28
引用本文:
祝红芳; 沈鸿烈; 尹玉刚; 鲁林峰. β-FeSi_2薄膜的结构与光电特性[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2008, 32(03): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/Y2008/V32/I03/1
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2008, Vol. 32 