溅射气压对DC磁控溅射制备AlN薄膜的影响
赖珍荃; 邹文祥; 李海翼; 刘文兴
南昌大学物理学系；
LAI Zhen-quan,ZOU Wen-xiang,LI Hai-yi,LIU Wen-xing (Department of Physics,Nanchang University,Nanchang 330031,China)
摘要 采用DC反应磁控溅射法,在Si(111)和玻璃基底上成功的制备了AlN薄膜。研究溅射过程中溅射气压对薄膜性能的影响。结果表明:薄膜中原子比N/Al接近于1;当溅射气压低于0.6 Pa时,薄膜为非晶态;当溅射气压不低于0.6 Pa时,薄膜的XRD图中均出现了6方相的AlN(100)、(110)和弱的(002)衍射
关键词 ：
透过率 ,
溅射气压 ,
AlN薄膜 ,
磁控溅射
Abstract ：AlN thin films were prepared by DC magnetron reactive sputtering on Si(111) and glass substrates.The influence of sputtering pressure on AlN thin films were investigated.It is shown that the atomic ratio N/Al of the prepared AlN thin films close to 1;when
Key words ：
transmission；
magnetron sputtering
AlN thin films
sputtering pressure
出版日期: 2011-02-28
引用本文:
赖珍荃; 邹文祥; 李海翼; 刘文兴. 溅射气压对DC磁控溅射制备AlN薄膜的影响[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2011, 35(01): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/Y2011/V35/I01/1
[1]
祝红芳; 沈鸿烈; 尹玉刚; 鲁林峰. β-FeSi_2薄膜的结构与光电特性
[2]
朱秀榕; 赖珍荃; 蒋雅雅; 范定寰. 氮气流量对反应磁控溅射制备TiN_x薄膜的影响
[3]
蒋雅雅; 赖珍荃; 王震东; 黄奇辉. 基底温度对磁控溅射制备氮化钛薄膜的影响
[4]
俞振南; 姜乐; 熊志华; 郑畅达; 戴江南; 江风益. 磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜
[5]
张景基; 赖珍荃; 王震东; 李新曦; 钟双英; 范定寰; 黄志明. 电极对PZT铁电薄膜的铁电和光学性能的影响
[6]
王震东; 赖珍荃; 范定环; 张景基; 黄志明. LNO薄膜的射频磁控溅射制备及其电学性能与红外吸收性能
[7]
赖珍荃; 李新曦; 俞进; 王根水; 郭少令; 褚君浩. 后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响
2011, Vol. 35 