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| 热氧化硅内表面薄层的显微观测 |
| 曾庆城; 钟仕科; 倪敏; 王水凤 |
| 江西大学物理系； 江西大学物理系； |
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摘要 采用“磨角—干涉仪法”对热氧化硅的表面进行了显微观测,发现在si—sio2界面附近硅一侧的内表面存在着氧的扩散层,厚度在1,000—2,000埃之间。对于影响表面薄层的工艺因素作了实验性的检测。文中附有实验照片。
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| 关键词 ：
内表面,
湿氧氧化,
高温热氧化,
干涉仪法,
离子注入,
磨角,
干涉显微镜,
氧化硅,
热氧化工艺,
显微观测
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出版日期: 1980-03-28
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| [1] |
雍涛； 黄笔武； 韩文娟； 谢王付； 万时策. 纳米二氧化硅对聚氨酯丙烯酸酯紫外光固化材料性能影响[J]. 南昌大学学报（工科版）, 2015, 37(03): 228-. |
| [2] |
彭海龙；黎文建；王深旗；罗美；徐丽清；熊华. 温度响应性纳米囊的构建及理化性质[J]. 南昌大学学报（工科版）, 2012, 34(04): 329-. |
| [3] |
赵勇; 侯硕; 俞进; 方利广; 郑军; 盛广沪. 注入剂量和低温退火对硅离子注入热氧化硅层发光特性的影响[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2011, 35(06): 1-. |
| [4] |
陈儒庆; 扶名福; 毛波; 赵磊. 掺Nano-SiO_2混凝土的耐磨性能试验研究[J]. 南昌大学学报（工科版）, 2011, 33(02): 1-. |
| [5] |
郑典模; 朱升干. 稻壳制备超细二氧化硅新工艺[J]. 南昌大学学报（工科版）, 2009, 31(02): 1-. |
| [6] |
徐鹏; 王应民; 徐飞; 张萌. 高浓度掺铒硅的结构分析[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2007, 31(06): 1-. |
| [7] |
张宁; 熊裕华. 溶胶-凝胶法制备纳米二氧化硅[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2003, 27(03): 1-. |
| [8] |
王水凤; 曾宇昕; 程国安; 徐飞. MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2002, 26(03): 1-. |
| [9] |
王水凤; 王平; 曾宇昕; 徐飞. 掺杂硅基氧化薄膜光致发光特性研究[J]. 南昌大学学报（理科版）, 1999, 23(04): 1-. |
| [10] |
曾庆城; 罗庆芳. 热氧化硅内表面的结构与特性[J]. 南昌大学学报（理科版）, 1985, 9(02): 1-. |
| [11] |
钟仕科; 廖乐祥. 硅芯片多层薄膜折射率的测量[J]. 南昌大学学报（理科版）, 1984, 8(03): 1-. |
| [12] |
钟仕科; 廖乐祥; 付敏恭. 氢敏感钯栅MOS电容[J]. 南昌大学学报（理科版）, 1983, 7(04): 1-. |
| [13] |
曾庆城; 罗庆芳. 镜面磨角法检测硅芯片上的多层薄膜[J]. 南昌大学学报（理科版）, 1983, 7(01): 1-. |
| [14] |
叶安祚. 砷化镓金属—氧化物—半导体器件工艺[J]. 南昌大学学报（理科版）, 1982, 6(02): 1-. |
| [15] |
曾庆城; 钟仕科. 硅内表面氧扩散分布的测量[J]. 南昌大学学报（理科版）, 1982, 6(01): 1-. |
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1980, Vol. 4 