ZnO本征缺陷的第一性原理计算
万齐欣; 熊志华; 刘国栋; 李冬梅; 江风益
南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心； 江西科技师范学院江西光电子与通信重点实验室；
WAN Qi-xin1,2,XIONG Zhi-hua1,LIU Guo-dong2,LI Dong-mei2,JIANG Feng-yi1(1.Institute of Materials Science,Nanchang University,Education Ministry Engineering Research Center for Luminescent Materials and Devices,Nanchang 330047,China;2.Key Laboratory of Pho
摘要 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对ZnO本征缺陷的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究。研究表明,OZn、Oi和VZn以受主的形式存在;ZnO和Zni以施主的形式存在。其中,Zni的形成能最小,因此Zni的存在正是未掺杂ZnO是n型半导体的原因。计算结果与其它研究者
关键词 ：
电子结构 ,
ZnO ,
第一性原理
Abstract ：Using first-principles methods based on density functional theory and pseudopotentials,a study on native point defects in ZnO has been performed.The calculated conclusions which include the geometric structure,the formation energy and the electronic struc
Key words ：
ZnO
First-principles
electronic structure；
出版日期: 2008-12-28
引用本文:
万齐欣; 熊志华; 刘国栋; 李冬梅; 江风益. ZnO本征缺陷的第一性原理计算[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2008, 32(06): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/Y2008/V32/I06/1
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2008, Vol. 32 