PFCVAD系统靶负压对硅基ZnO薄膜结构及应变的影响
于鹏; 赵勇; 马力; 盛广沪; 赖珍荃; 唐建成
南昌大学理学院; 南昌大学材料科学与工程学院;
YU Peng~a,ZHAO Yong~a,MA Li~a,SHENG Guang-hu~a,LAI Zhen-quan~a,TANG Jian-cheng~b(a.College of Science;b.College of Materials Science and Engineering,Nanchang University,Nanchang 330031,China)
摘要 采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD)系统,以Si(100)单晶片为衬底,在衬底温度300℃、氧气压力4.0×10-2Pa的条件下制备出了c轴择优取向的ZnO薄膜。通过原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)技术对ZnO薄膜的表征,研究了靶负压对
关键词 :
应变 ,
ZnO ,
靶负压 ,
PFCVAD
Abstract :ZnO thin films were prepared by pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition system under various negative substrate bias on Si(100) at 300 ℃ and 4.0×10-2 Pa of oxygen pressure.The surface morphology,structural and strain properties of the ZnO thin fi
Key words :
negative substrate bias
ZnO
strain;
PFCVAD
出版日期: 2009-04-28
引用本文:
于鹏; 赵勇; 马力; 盛广沪; 赖珍荃; 唐建成. PFCVAD系统靶负压对硅基ZnO薄膜结构及应变的影响[J]. 南昌大学学报(理科版), 2009, 33(02): 1-.
YU Peng~a,ZHAO Yong~a,MA Li~a,SHENG Guang-hu~a,LAI Zhen-quan~a,TANG Jian-cheng~b(a.College of Science;b.College of Materials Science and Engineering,Nanchang University,Nanchang 330031,China). . , 2009, 33(02): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/Y2009/V33/I02/1
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