缓冲层厚度对Ti/Si模板上生长ZnO薄膜的影响
李璠; 李冬梅; 戴江南; 王立; 蒲勇; 方文卿; 江风益
南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心； 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 江西南昌330031； 江西南昌330031；
LI Fan,LI Dong-mei,DAI Jiang-nan,WANG Li,PU Yong,FANG Wen-qing,JIANG Feng-yi(Education Ministry Engineering Research Center for Luminescence Materials and Devices,Nanchang University,Nanchang 330047,China)
摘要 采用常压MOCVD法,以二乙基锌和去离子水为源,在不同厚度的ZnO缓冲层上生长了一组ZnO薄膜。分别采用X射线衍射(XRD)、干涉显微镜和光致发光谱(PL)对样品的结晶性能、表面形貌和发光性能进行分析,结果表明,随着缓冲层的引入,ZnO外延膜的质量得到很大提高,缓冲层的厚度对外延ZnO薄
关键词 ：
缓冲层 ,
ZnO ,
Ti/Si模板 ,
MOCVD
Abstract ：A series of ZnO films were deposited on Ti/Si(111) templates having different buffer layer thicknesses by atmospheric-pressure Metalorganic chemical vapor deposition(AP-MOCVD).The effects of ZnO buffer layer on crystallography,surface morphology and lumin
Key words ：
buffer layer
Ti/Si template
ZnO
MOCVD；
出版日期: 2007-04-28
引用本文:
李璠; 李冬梅; 戴江南; 王立; 蒲勇; 方文卿; 江风益. 缓冲层厚度对Ti/Si模板上生长ZnO薄膜的影响[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2007, 31(02): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/Y2007/V31/I02/1
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