MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜
程海英; 王立; 方文卿; 蒲勇; 郑畅达; 戴江南; 江风益
南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心； 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 江西南昌330047； 江西南昌330047；
CHENG Hai-ying,WANG Li,FANG Wen-qing,PU Yong,ZHENG Chang-da,DAI Jiang-nan,JIANG Feng-yi(Education Ministry Engineering Research Center for Luminescence Materials and Devices,Nanchang University,Nanchang 330047,China)
摘要 采用常压MOCVD方法在Cu/S i(111)基板上生长ZnO薄膜,研究了缓冲层的生长温度对ZnO外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪、光致发光谱仪对样品的表面形貌、晶体结构以及发光性能进行了分析。实验结果表明:ZnO/Cu/S i(111)外延膜的性能与缓冲
关键词 ：
光致发光 ,
Cu/Si(111)基板 ,
X射线衍射 ,
MOCVD ,
ZnO
Abstract ：ZnO thin films were grown on Cu/Si(111) template by atmospheric pressure MOCVD.The effect of the growth temperature of buffer layer on the properties of ZnO films was studied.The surface morphology of ZnO films was investigated by interference microscopy
Key words ：
X-ray diffraction
MOCVD
ZnO
Si substrate
photoluminescence；
出版日期: 2006-12-28
引用本文:
程海英; 王立; 方文卿; 蒲勇; 郑畅达; 戴江南; 江风益. MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2006, 30(06): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/Y2006/V30/I06/1
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2006, Vol. 30 