退火温度对ZnO薄膜结构和内应变的影响
赵勇; 俞进; 于鹏; 侯硕; 梁晓军; 方利广; 盛广沪
南昌大学理学院；
ZHAO Yong,YU Jin,YU Peng,HOU Shuo,LIANG Xiao-jun,FANG Li-guang,SHENG Guang-hu(College of Science,Nanchang University,Nanchang 330031,China)
摘要 采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积技术(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD),以Si(100)单晶片为衬底,在衬底温度400℃、氧气压力4×10-2Pa、靶负压400 V的条件下制备了具有c轴取向的ZnO薄膜。采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)研究了退火温度对ZnO薄膜
关键词 ：
ZnO薄膜 ,
PFCVAD ,
内应变 ,
退火温度
Abstract ：ZnO films with c-axis preferred orientation were deposited on Si(100) single-crystal substrate using the pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition(PFCVAD) method,with the deposition parameters setting as: substrate temperature 400 ℃,oxygen pressure
Key words ：
PFCVAD；
ZnO films
annealing temperature
intrinsic strain
出版日期: 2011-06-28
引用本文:
赵勇; 俞进; 于鹏; 侯硕; 梁晓军; 方利广; 盛广沪. 退火温度对ZnO薄膜结构和内应变的影响[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2011, 35(03): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/Y2011/V35/I03/1
2011, Vol. 35 