MOCVD方法在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜
方芳; 王立; 方文卿; 蒲勇; 郑畅达; 苏宏波; 江风益
南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心； 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 江西南昌330047； 江西南昌330047；
FANG Fang,WANG Li,FANG Wen-qing,PU Yong,ZHENG Chang-da,SU Hong-bo,JIANG Feng-yi(Education Ministry Engineering Research Center for Luminescence Materials and Devices,Nanchang University 330047,China)
摘要 用常压金属有机化学气相外延方法在N i/S i(111)模板上生长ZnO薄膜,研究了ZnO低温缓冲层的厚度(50~300)对薄膜性能的影响。采用原子力显微镜,X射线衍射和光致发光光谱仪对这些样品进行分析。结果表明:缓冲层的厚度对ZnO外延薄膜的表面形貌、晶体结构及发光性能都有较大影响。在
关键词 ：
光致发光 ,
Si ,
X射线衍射 ,
Ni ,
ZnO ,
MOCVD
Abstract ：Ni/Si(111) templates were used as substrate to grow ZnO thin films by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition.The ZnO films were deposited on Ni/Si(111) template using different buffer layer thicknesses between 50 and 300.Atomic forc
Key words ：
photoluminescence；
ZnO
MOCVD
Si
Ni
X-ray diffraction
出版日期: 2006-02-28
引用本文:
方芳; 王立; 方文卿; 蒲勇; 郑畅达; 苏宏波; 江风益. MOCVD方法在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2006, 30(01): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/Y2006/V30/I01/1
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2006, Vol. 30 