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摘要 <正> 一、引言众所周知,用GaAs制作MOSFET,在速度方面比用Si要优越得多,这是因为电子在GaAs中的迁移率是在Si中的五倍以上,而且GaAs的禁带宽度比Si的宽。早在1967年,已做出了几百兆周的GaAs MOSFET[1,2]。但是,后来的发展很慢。其根本原因在于很难做出具有良好界面性能的缘绝层
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| 关键词 ：
热氧化工艺,
增强型,
氧化物,
砷化镓,
器件工艺,
耗尽型,
沟道,
半导体,
自然氧化,
欧姆接触
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出版日期: 1982-06-28
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1982, Vol. 6 