ZnSe-ZnS超晶格的量子尺寸效应

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摘要本文报导了我们用常压MOCVD生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。我们首次制备了阱宽低达10(?)的ZnSe-ZnS应变超晶格。

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关键词 ：应变超晶格, MOCVD

Abstract：We review the development of the semiconductor superlattices, espe ciallythe wide-gapⅡ-Ⅵ strained layer superlattices. We also report the growth of ZnSe-ZnS strained layer superiattices by atmospheric pressure metal-organic chemical vapour deposition（A

Key words： strained-layersuperlattice Metal-organic chemical vapor deposition；

出版日期: 1992-06-28

引用本文:

江风益; 廖清华; 范广涵; 范希武. ZnSe-ZnS超晶格的量子尺寸效应[J]. 南昌大学学报（工科版）, 1992, 14(02): 1-.
F.Y.Jiang Q.H.Liao (Jiangxi Polytechnic University) G.H.Fan X.W Fan (changchun Instiute of Physics, Academic Sinica). . , 1992, 14(02): 1-.

链接本文:

http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xbgkb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xbgkb/CN/Y1992/V14/I02/1