等离子体增强热丝化学气相沉积法生长取向金刚石薄膜
刘洪刚; 叶敦菇; 程国安
南昌大学材料科学与工程系!江西南昌330047； 南昌大学物理学系!江西南昌330047；
Liu Honggang Cheng Guoan(Department of Materials Science and Engineering,Nanchang University,Nanchang,330047 China)Ye Dunru(Department of Physics,Nanchang University,Nanchang,330047 China)
摘要 采用等离子体增强热丝化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长金刚石薄膜 ,扫描电子显微镜 (SEM )和X射线衍射 (XRD)分析结果表明金刚石晶体颗粒在〈111〉方向实现了取向生长。随H2 气氛中CH4 浓度的提高金刚石的形核率增加 ,但当CH4 在H2 中的体积分数≥ 0 .0 4时石墨竞相生长 ,无
关键词 ：
热丝化学气相沉积 ,
等离子体 ,
金刚石
Abstract ：Oriented diamond films were synthesized on Si(111) substrates via plasma enhanced hot filament chemical vapor deposition (PE-HFCVD),and the diamond films were characterized by scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction (XRD).The results indi
Key words ：
plasma；
HFCVD
diamond
出版日期: 2000-03-28
引用本文:
刘洪刚; 叶敦菇; 程国安. 等离子体增强热丝化学气相沉积法生长取向金刚石薄膜[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2000, 24(01): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/Y2000/V24/I01/1
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2000, Vol. 24 