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摘要 采用“电解水氧化显微法”,以大约270埃的精度检测了硼、磷杂质通过掩膜窗口在硅中扩散的纵向和横向的深度。讨论了杂质在硅中电离扩散的理论问题,在双扩散工艺的基础上,提出了新生表面层原子的氧化模型,同时给出了显微考证的实验照片。
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统计规律,
杂质电离,
显微图象,
杂质原子,
硅原子,
表面层,
扩散运动,
电离杂质,
理论模型,
自建电场
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出版日期: 1980-06-28
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1980, Vol. 4 