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| 硅平面器件管芯的内部结构显示与硼磷等杂质在硅中的扩散问题 |
| 曾庆城 |
| 江西大学物理系； |
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摘要 应用电解水氧化显结法能够显示出硅平面器件管芯内部的PN结构。本文通过剖析几种实际的硅平面器件,显现硼、磷等杂质原子通过SiO2掩膜窗口在硅中的扩散分布。具体测量了横向扩散的深度yi,它比纵向扩散结深Xi要小得多,不论掩膜窗口的宽度是大是小,yj总是小于Xj。说明了显示和考
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| 关键词 ：
有效扩散系数,
合理使用,
实验数据,
水氧化,
工艺条件,
杂质原子,
扩散过程,
电解氧化,
理论计算,
硅原子
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出版日期: 1977-01-28
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1978, Vol. 2 