热丝化学气相沉积法低温制备立方碳化硅薄膜
戴文进; 欧阳慧平
南昌大学信息工程学院； 江西工业工程职业技术学院 江西南昌330029； 江西萍乡337055；
DAI Wen-jin~1,OUYANG Hui-ping~2(1.School of Information Engineering,Nanchang University,Jiangxi Nanchang 330029,China 2.Jiangxi Industry Engineering Vocational Technical College,Jiangxi Pingxiang 337055,China)
摘要 采用热丝化学气相沉积法在Si(100)衬底上,于较低的衬底温度(400℃)下,制备出良好结晶。经对样品进行的X射线衍射(XRD),以及傅立叶变换红外光谱(FTIR)检测,证实该沉积薄膜为立方碳化硅。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,所获样品晶粒大小为纳米尺度。
关键词 ：
纳米 ,
立方碳化硅 ,
热丝法CVD
Abstract ：The nano-crystal β-SiC thin films were grown on Si(100) substrates by Thermal filament CVD at low substrate temperature(400 ℃).It optimized the deposition conditions in order to obtain well crystalline degree in our samples.The Fourier Transform Infrare
Key words ：
nano-crystal
SiC
hot wire-CVD；
出版日期: 2005-04-28
引用本文:
戴文进; 欧阳慧平. 热丝化学气相沉积法低温制备立方碳化硅薄膜[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2005, 29(02): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/Y2005/V29/I02/1
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2005, Vol. 29 