界面对PZT铁电薄膜性能的影响
钟双英; 赖珍荃
南昌大学材料科学与工程学院； 南昌大学材料科学与工程学院 江西南昌330031南昌大学物理实验中心； 江西南昌330031；
ZHONG Shuang-yinga,b,LAI Zhen-quana(a.School of Materials Science and Engineering;b.Department of Physics,Nanchang University,Nanchang 330031,China)
摘要 利用射频溅射工艺,在低阻硅p-Si(111)基片上分别制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)和PZT/LaN iO3(LNO)薄膜,样品在大气中进行650℃/15 min后热退火处理.用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)等手段分析不同衬底与PZT薄膜之间的界面对薄膜微观结构和铁电性能的影响,实验结果分析表
关键词 ：
微观结构 ,
界面 ,
PZT铁电薄膜
Abstract ：Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT) and PZT/LaNiO3(LNO)thin films were deposited on p-Si[p type Si(111) for short p-Si] substrate using RF magnetron sputtering,followed by thermal annealing process with temperature 650℃ in air ambient for 15 minutes.The microstructu
Key words ：
microstructure；
PZT ferroelectric thin film
interface
出版日期: 2007-03-28
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2007, Vol. 29 