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硅平面器件结构的电解氧化显示与观测 |
曾庆城 |
江西大学物理系半导体教研组; |
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摘要 在电解水的过程中,能够观察到在硅片电极上生成的二氧化硅薄膜。本文介绍在硅平面器件管芯的剖面上通过电解自来水,生长SiO2薄膜显示PN结的方法——电解水氧化染色法。它将显示出器件的发射结和集电结的位置,同时可以观察到外延层等,便于测量。电解水氧化染色法也可用于外延层
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关键词 :
平面器件,
电解水,
水氧化,
器件结构,
集电结,
染色法,
电解氧化,
发射结,
硫酸铜,
二氧化硅薄膜
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出版日期: 1977-01-28
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