GaAs/(Pd,Ti,Pd,Au)多层膜的退火扩散机制
罗广圣; 李长全; 钟文斌
南昌大学化学与材料科学学院!江西南昌330047;
LUO Guang-sheng,LI Chang-quan,ZHONG Wen-bin (Chemistry and Material Science School,Nanchang University,Nanchang 330047,China)
摘要 采用扫描俄歇电子能谱法 ,对GaAs/Pd( 50 )Ti( 4 0 0 )Pd( 4 0 0 )Au( 2 0 0 0 )在不同退火条件下多层膜间的扩散机制进行了研究 结果表明 ,薄膜与衬底结合较好 ,各层薄膜之间的扩散随退火温度的升高而更加充分 ,在 4 50℃以上退火后 ,各层薄膜之间发生了充分的扩散 ,并且薄膜
关键词 :
退火 ,
扫描俄歇电子能谱 ,
扩散 ,
多层膜
Abstract :The diffusion mechanism of GaAs/Pd(50 ?)Ti(400 ?)Pd(400 ?) Au(2 000 ?) in different annealing condition was studied by scanning Auger electron spectroscopy method.The following conclusions indicate that the thin films combine well with the base each other
Key words :
scanning Auger electron spectroscopy
multi-layer films
diffusion;
anneal
出版日期: 2001-06-28
引用本文:
罗广圣; 李长全; 钟文斌. GaAs/(Pd,Ti,Pd,Au)多层膜的退火扩散机制[J]. 南昌大学学报(工科版), 2001, 23(02): 1-.
LUO Guang-sheng,LI Chang-quan,ZHONG Wen-bin (Chemistry and Material Science School,Nanchang University,Nanchang 330047,China). . , 2001, 23(02): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xbgkb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xbgkb/CN/Y2001/V23/I02/1
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