ROS管—一种新型半导体器件
叶安祚
江西大学物理系；
Ye Anzuo (Jiangxi University)
摘要 本文讨论了该器件的设计理论,描述了它的结构,典型曲线及参数。
关键词 ：
物理模型 ,
转移曲线 ,
输出特性曲线 ,
截止点 ,
漏源电压 ,
转移特性曲线 ,
导通状态 ,
栅极电位 ,
半导体器件 ,
沟道
Abstract ：ROS transistor is a new type of semieoductor device. The design principle of the device is discussed. And, the structure, typical curves and parameters are presented.
出版日期: 1987-03-28
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1987, Vol. 11 