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| 基于椭偏测试法的氢化非晶硅膜钝化机制 |
| 钟观发 刘一见 邰鑫 黄海宾 袁吉仁 |
| 南昌大学光伏研究院 中国电子科技集团公司第三十二研究所 南昌大学理学院 |
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摘要 本征非晶硅（a-Si:H）钝化是获得高效非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键技术之一,但由于非晶硅的结构复杂多变,至今仍无法对其结构与性能的关联进行简洁的线性表征。本研究采用Sinton设备,测试不同工艺制备的双面a-Si:H薄膜钝化的N型单晶硅片的少子寿命,表征a-Si:H对硅片表面的钝化效果,采用椭圆偏振光谱仪测试拟合a-Si:H薄膜的折射率、消光系数、光学带隙等参数,分析它们与钝化效果的关联。发现:介电函数虚部ε2的峰值和薄膜禁带宽度大致呈现线性关系,高频折射率n∞与钝化后少子寿命呈线性关系。因介电函数由材料的能带结构、态密度等结构因素决定,所以ε2峰值与n∞这两个参数有望为非晶硅结构与钝化效果的理解提供新的表征思路,指导工艺的优化改进。
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| 关键词 ：
本征非晶硅,
钝化,
椭偏仪,
高频折射率;
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| 基金资助:国家自然科学基金资助项目(61741404)； 科技部国家重点研发计划课题(2018YFB1500403)； 南昌大学研究生创新专项资金资助项目(CX2018011)； |
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