GaN中一种新受主的发光性能研究
熊传兵; 姚冬敏; 彭学新; 王立; 江风益
南昌大学材料科学研究所!江西南昌330047；
Xiong Chuanbing,Yao Dongmin,Peng Xuexin,Wang Li,Jiang Fengyi (Institute of Materials Science,Nanchang University,Nanchang 330047,China)
摘要 对两类未故意掺杂GaN样品 ,用He-Cd激光器 32 5nm线激发 ,进行光致发光性能测试 ,发现表面呈浅白色的样品出现一个新的发光峰 ,该峰在 30 0K时位于 3.146eV处 对此类样品进行变激发密度光致发光谱测试 ,发现此峰的峰位不随激发密度的变化而发生移动 ,其发光峰强与激发密度呈超
关键词 ：
金属有机化学气相沉积 ,
光致发光 ,
氮化镓
Abstract ：Two kinds of undoped GaN films were characterized by photoluminescence(PL).PL was excited using the 325 nm line of a 15 mW He-Cd laser.A new emission peak around 3.146 eV at room temperature was observed in the films with greyish white surface.The peak po
Key words ：
photoluminescence
GaN
MOCVD；
出版日期: 2001-03-28
引用本文:
熊传兵; 姚冬敏; 彭学新; 王立; 江风益. GaN中一种新受主的发光性能研究[J]. 南昌大学学报（工科版）, 2001, 23(01): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xbgkb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xbgkb/CN/Y2001/V23/I01/1
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