铜薄膜中空位的计算机模拟
熊志华; 刘继东; 雷敏生
南昌大学材料科学与工程学院； 江西科技师范学院江西省光电子与通信重点实验室； 江西师范大学物理系 江西南昌330047； 江西南昌330013； 江西师范大学物理系； 江西南昌330027；
XIONG Zhi-hua~(1,2,3),LIU Ji-dong~2,LEI Ming-sheng~1(1.College of Material Science & Engineering,Nanchang University,Nanchang 330029,China;2.Key Laboratory of Photo Electronic & Telecommunication,Jiangxi Science & Technology Normal University,Nanchang 33
摘要 使用基于局域密度泛函理论的第一性原理赝势法,对6原子层厚铜薄膜中的空位进行了计算机模拟研究,计算出薄膜表面层、次表层和第三层中空位的形成能分别是0.69,0.82和1.00 eV。作为对比,计算得到体材料中空位的形成能是1.04 eV。并详细分析了空位近邻原子的驰豫情况。计算所得到
关键词 ：
空位形成能 ,
铜薄膜 ,
第一性原理
Abstract ：Ab initio method with pseudopotentials theory based on the local density functional theory has been used to investigate the bulk Cu and six-layer copper thin film.The vacancy formation energy of Cu(111) thin film and bulk Cu have been calculated.Calculate
Key words ：
copper thin film
vacancy formation energy
ab initio；
出版日期: 2006-04-28
引用本文:
熊志华; 刘继东; 雷敏生. 铜薄膜中空位的计算机模拟[J]. 南昌大学学报（理科版）, 2006, 30(02): 1-.
链接本文:
http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xblxb/CN/Y2006/V30/I02/1
2006, Vol. 30 