半导体外延层晶格失配度的计算
何菊生; 张萌; 肖祁陵
南昌大学材料科学与工程学院； 南昌大学材料科学与工程学院 江西南昌330047； 江西南昌330047；
HE Ju-sheng,ZHANG Meng,XIAO Qi-ling(School of Material Science and Engeering,Nanchang University,Nanchang 330047,China)
摘要 比较了晶格失配度的各种定义,建议统一使用同一定义。采用简化模型系统地探讨了各种情况下半导体外延生长层和衬底的二维晶格失配度的计算,最后讨论了结合XRD衍射图谱确定失配度的方法。结果表明,正三角形晶格和长方形晶格匹配,长方形晶格的宽列原子的匹配具有优先性,不受长列
关键词 ：
体结构 ,
半导体外延层 ,
晶格失配度 ,
二维晶格
Abstract ：The different definitions of lattice mismatch are compared with each other.The suggestion is put forward to use the same definition of lattice mismatch.The calculation way of the lattice mismatch through a new simpilied model between semiconductor epitaxy
Key words ：
two-dimensional crystal lattice
body structure
Semiconductor epitaxy；
lattice mismatch
出版日期: 2006-02-28
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