GaN单晶薄膜的湿法化学刻蚀研究
姚冬敏; 胡恺生; 江风益; 范广涵
南昌大学材料科学研究所；
Yao Dongmin Hu Kaishang Jiang Fengyi Fan Guanghan (Institute of Matcrial Science,Nanchang University,Nanchang,330047)
摘要 ＭＯＣＶＤ用高压汞灯对ｎ－ＧａＮ处延层进行了辐照湿法化学刻蚀研究，这种外延层是在Ａ１２Ｏ３衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的。结果表明：在紫外光照下，ｎ－ＧａＮ层在２５％的ＫＯＨ水溶液中腐蚀较有效。这种腐蚀很可能是通过紫外光增强氧化和还原反应而产生的。
关键词 ：
GaN ,
UV ,
刻蚀
Abstract ：A wet chemical etching method of n-GaN epitaxial layer grown on a sapphire substrate by MOCVD is investigated using UV of high pressure mercury lamp.It is shown that n-GaN layer can be etched in 25% KOH dilute.The etching may take place through the enhanc
Key words ：
etch；
UV
GaN
出版日期: 1997-09-28
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