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| 硅材料双吸杂技术的研究 |
| 程福生; 叶安祚 |
| 景德镇三六厂； 江西大学物理系； |
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摘要 <正> 引言为了提高硅材料质量,有效提取晶体中有害杂质、减少晶体中微缺陷或降低微缺陷的电活性,抑制工艺流程中难免会引入的沾污以及二次缺陷的形成,这里介绍如下一种“双重吸杂技术”,其具体工艺步骤如下:
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| 关键词 ：
吸杂技术,
微缺陷,
受主杂质,
硅材料,
电活性,
工艺步骤,
晶体,
二次缺陷,
工艺流程,
溶解度
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出版日期: 1988-06-28
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1988, Vol. 12 