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| 短沟道MOS器件一些工艺 |
| 叶安祚; 王兼善 |
| 江西大学物理系； 江西大学物理系； |
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摘要 组成MOS大规模集成电路的MOS器件向着微型化方向发展。但是器件尺寸缩小之后,出现了短沟道效应。为了避免短沟道效应的发生,自73年以来提出了各种各样的工艺技术。本文简略讨论了目前已提出的一些短沟道MOS器件工艺的基本过程及其特点,介绍了已达到的技术水平,指出V—MOS(主要
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| 关键词 ：
自对准,
栅氧化层,
工艺技术,
器件工艺,
短沟道效应,
淀积多晶硅,
沟道区,
各向异性腐蚀,
大规模集成电路,
离子注入
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出版日期: 1980-03-28
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1980, Vol. 4 