MOCVD法生长的ZnSe外延单晶膜的光致发射光谱特性的研究

摘要
图/表
参考文献
相关文章 (0)

全文: PDF (0 KB) HTML (0 KB)
输出: BibTeX | EndNote (RIS)

摘要本文研究了在MOCVD系统上生长的ZnSe单晶膜的光致发光特性,观察到77K下自由激子发射,束缚激子发射,施主受主对发射及其声子伴线。Raman背散射测量表明ZnSe LO声子能量31mev。

	服务

	把本文推荐给朋友
	加入我的书架
	加入引用管理器
	E-mail Alert
	RSS
	作者相关文章

关键词 ：自由激子谱, 束缚激去谱, 施主受主对DAP, LO声子

Abstract：The photoluminescen properties of ZnSe epilayers grown by MOCVD are studied. Free exciton emission, bound exciton emission. DAP emission and LO phonon associted with DAP are observed. The energy of LO phonon is 31 mev by RAMAN backscattering.

Key words： LO Phonon； Free exicton DAP emission Bound exciton

出版日期: 1991-12-28

引用本文:

江向平; 江风益; 程齐贤; 潘传康; 肖新民. MOCVD法生长的ZnSe外延单晶膜的光致发射光谱特性的研究[J]. 南昌大学学报（工科版）, 1991, 13(04): 1-.
Jiang Xiangping Jiang Fengyi Cheng Gixian Pan Chuankang (Jiangxl Polytechnical University) Xiao Xinmin (Jiangxi Normacl University). . , 1991, 13(04): 1-.

链接本文:

http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xbgkb/CN/ 或 http://qks.ncu.edu.cn/Jwk_xbgkb/CN/Y1991/V13/I04/1