沉积原子入射对外延铝薄膜中失配位错形成的诱发作用
黄俊; 周耐根; 周浪
南昌大学材料科学与工程学院； 南昌大学材料科学与工程学院 江西南昌330031； 江西南昌330031；
HUANG Jun,ZHOU Nai-gen,ZHOU Lang(College of Material Science and Engineering,Nanchang University,Nanchang 330031,China)
摘要 运用分子动力学方法模拟研究了沉积原子的不同落点对外延铝薄膜中失配位错的诱发作用。铝原子间相互作用势为嵌入原子法(EAM)多体势。模拟结果显示,在600 K下15个原子层厚失配度为-0.06的外延铝膜中,沉积原子入射在FCC位置和HCP位置上比入射在表面原子的正上方上更容易引起失配
关键词 ：
外延薄膜 ,
铝 ,
失配位错 ,
分子动力学
Abstract ：A molecular dynamics simulation of the enhancement of adatom incidence of formation of misfit dislocations in epitaxial aluminum films has been carried out.An embedded atom method(EAM) potential is used to calculate the interaction of aluminum atoms.The r
Key words ：
molecular dynamics
epitaxial thin film
aluminu；
misfit dislocation
出版日期: 2008-02-28
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2008, Vol. 32 